Схема включения транзисторов с общей базой

схема включения транзисторов с общей базой
Почему? Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями. Далее следует включить питание схемы и через 2 — 5 секунд выключить. Окончательный номинал резистора R1 потребуется подобрать при наладке более точно!


Биполярный транзистор имеет две ВАХ (вольт амперные характеристики): входную и выходную. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление. Обязательное условие – тонкий слой базы для возможности возникновения транзисторного эффекта. Более подробно работу схемы ОК можно рассмотреть на рисунке 9. Рисунок 9. Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода б-э находится в пределах 0,5…0,7В, поэтому можно принять его в среднем 0,6В, если не задаваться целью проводить расчеты с точностью до десятых долей процента. Для работы с такой информацией обычно нужно увеличить эти малые изменения до уровней, более соответствующих требованиям оборудования, используемого для их анализа. Усиление каскада с ОБ обеспечивает усиление только по напряжению.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером. Входное сопротивление каскада очень мало, а выходное — велико. Так, при повышении температуры, усилительные свойства транзистора ухудшаются. Другими словами можно не опасаясь спалить транзистор подавать непосредственно на базу (без ограничительного резистора) напряжение. Рассматривая транзистор как усилитель, принято характеризовать его свойства коэффициентами усиления и значением входного сопротивления. Частотные свойства такого включения по сравнению со схемой с общей базой существенно хуже, что обусловлено эффектом Миллера.

Похожие записи: